NBA3N200SDR2G

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN NBA3N200SDR2G имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите аутентичный и надежный источник продуктов в RX Electronics. NBA3N200SDR2G из полупроводника представляет собой высокопроизводительный N-канальный MOSFET, предназначенный для эффективного управления энергопотреблением в различных электронных системах. Это устройство имеет низкое сопротивление в гостях (RDS (ON)) 20 миллиомов при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и повышенную эффективность системы. Его рейтинг напряжения 30 В делает его подходящим для применений, требующих надежности против переходных процессов напряжения. NBA3N200SDR2G поддерживает высокие возможности тока, что позволяет ему выполнять требовательные задачи переключения питания. Он расположен в компактном пакете D2PAK (TO-263), что облегчает легкую интеграцию в конструкции с ограниченными пространством, сохраняя при этом превосходные тепловые характеристики. Этот MOSFET, идеально подходящий для использования в управлении двигателем, расходными материалами и автомобильной электроникой, предлагает быстрые скорости переключения и превосходную тепловую стабильность. Его надежная конструкция обеспечивает надежную работу в широком температурном диапазоне, что делает его предпочтительным выбором для инженеров, ищущих эффективность и надежность в схемах конверсии и управления.