NBA3N011SSNT1G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN NBA3N011SSNT1G, к счастью, вы попали в нужное место, вы получите все части в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. -Канал MOSFET, предназначенный для эффективных приложений переключения питания. Это устройство имеет ультра-низкую резистентность (RDS (ON)) 1,1 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности системы. Его надежная конструкция поддерживает напряжение источника дренажного источника (VDS) 30 В и непрерывный канализационный ток (ID) до 184A, что делает его подходящим для требования промышленной и автомобильной среды.

NBA3N011SSNT1G работает в широком диапазоне температуры от -55 ° C до +175 ° C, обеспечивая надежную производительность в экстремальных условиях. Он расположен в пакете компактного до 247-3, который облегчает эффективное рассеяние тепла и простоту интеграции в различные схемы. Устройство также включает в себя интегрированную защиту ESD, повышение надежности и долговечность.

Этот MOSFET идеально подходит для применений с высоким содержанием тока, таких как управление двигателем, преобразователи DC-DC и системы управления аккумуляторами. Его превосходная тепловая производительность и низкий RDS (ON) способствуют снижению энергопотребления и повышению общей эффективности системы. Назначьте обратитесь к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!