Номер детали производителя : | NCD57080CDR2G |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | - |
Описание : | ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NCD57080CDR2G(1).pdfNCD57080CDR2G(2).pdfNCD57080CDR2G(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NCD57080CDR2G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | NCD57080CDR2G(1).pdfNCD57080CDR2G(2).pdfNCD57080CDR2G(3).pdf |
Напряжение - выходной подачий | 0V ~ 32V |
Напряжение - Изоляция | 3750Vrms |
Напряжение - Вперед (Vf) (Тип) | - |
Технологии | Capacitive Coupling |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
Серии | - |
Время нарастания / спада (Typ) | 13ns, 13ns |
Искажение ширины импульса (макс.) | - |
Задержка распространения tpLH / tpHL (макс.) | 85ns, 85ns |
Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 125°C (TA) |
Количество каналов | 1 |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Пик Выходной | 8A |
Ток - Выходной High, Low | 8A, 8A |
Переходный импеданс синфазного сигнала (мин.) | 100kV/µs |
Базовый номер продукта | NCD57080 |
Агентство по утверждению | - |
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
METAL SPIN OF NCD5703C. H
ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
GATE DRIVER WITH LOW UVLO THRESH
ISOLATED COMPACT IGBT GATE DRIVE
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
ISOLATED HIGH CURRENT GATE DRIVE
METAL SPIN OF NCD5703B. H