| Номер детали производителя : | NGTD13T120F2WP | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | - |
| Описание : | IGBT TRENCH FIELD STOP | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | NGTD13T120F2WP(1).pdfNGTD13T120F2WP(2).pdfNGTD13T120F2WP(3).pdfNGTD13T120F2WP(4).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | NGTD13T120F2WP |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | IGBT TRENCH FIELD STOP |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | NGTD13T120F2WP(1).pdfNGTD13T120F2WP(2).pdfNGTD13T120F2WP(3).pdfNGTD13T120F2WP(4).pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 1200 V |
| Vce (на) (Max) @ VGE, Ic | 2.4V @ 15V, 15A |
| режим для испытаний | - |
| Td (вкл / выкл) при 25 ° C | - |
| Переключение энергии | - |
| Поставщик Упаковка устройства | Wafer |
| Серии | - |
| Упаковка / | Die |
| Упаковка | Tray |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Тип ввода | Standard |
| Тип IGBT | Trench Field Stop |
| Ток - Коллектор Импульсные (ICM) | 60 A |







IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
IGBT 75A 600V TO-247
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
IGBT 600V 75A TO247
IGBT FIELD STOP 650V TO247-4
DIODE GEN PURP 650V DIE
DIODE GEN PURP 1.2KV DIE