NHPD660T4G

Подробности продукции

Если вам требуется поставка NHPD660T4G, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. NHPD660T4G из ON Semiconductor представляет собой высокопроизводительный, низкообо канал N-канальный мощный MOSFET, предназначенный для эффективных применений переключения питания. Он имеет ультра-низкий RDS (ON) 4,3 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. Это устройство работает в широком диапазоне напряжения, поддерживая напряжения до 60 В, что делает его подходящим для различных автомобильных и промышленных применений.

Одним из его ключевых преимуществ является его надежный дизайн с превосходными характеристиками лавины и прочной, обеспечивающей надежную производительность в суровых условиях. NHPD660T4G также предлагает быстрые скорости переключения, уменьшая потери переключения и повышение общей эффективности в высокочастотных цепях. Его термически улучшенный пакет SO-8 облегчает эффективное рассеяние тепла, что позволяет более высоким возможностям обработки тока.

Общие применения включают управление двигателем, преобразователи DC-DC, переключатели нагрузки и системы управления аккумуляторами в автомобильной электронике, потребительских устройствах и промышленном оборудовании. Комбинация низкого уровня на устойчивости, быстрого переключения и надежности делает NHPD660T4G отличным выбором для дизайнеров, ищущих высокоэффективные, надежные решения для энергоснабжения. Цена и время для NHPD660T4G в зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте свой запрос нам,, Наша команда по продажам предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.