Номер детали производителя : | NHPJ08S600G | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 39747 pcs Stock |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NHPJ08S600G.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NHPJ08S600G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 39747 pcs |
Спецификация | NHPJ08S600G.pdf |
Напряжение - Пиковое обратное (Макс) | Standard |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 8A |
Напряжение - Разбивка | TO-220FP |
Серии | - |
Статус RoHS | Tube |
Обратное время восстановления (ТИР) | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Сопротивление @ Если, F | - |
поляризация | TO-220-2 Full Pack |
Рабочая температура - Соединение | 50ns |
Тип установки | Through Hole |
Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 18 Weeks |
Номер детали производителя | NHPJ08S600G |
Расширенное описание | Diode Standard 600V 8A Through Hole TO-220FP |
Диод Конфигурация | 30µA @ 600V |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 8A TO220FP |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 3.2V @ 8A |
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 600V |
Емкостной @ В.Р., F | -55°C ~ 150°C |
DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK
1RU PANEL, 20 POSITION NH SERIES
DIODE GEN PURP 200V 3A SO-8FL
1RU PANEL, 20 POSITION NH SERIES
DIODE GEN PURP 200V 8A LFPAK4
DIODE GEN PURP 200V 4A LFPAK4
DIODE GEN PURP 200V 2A POWERMITE
DIODE GEN PURP 200V 1A POWERMITE
DIODE GEN PURP 200V 6A LFPAK4