| Номер детали производителя : | NSBA113EF3T5G | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 168424 pcs Stock |
| Описание : | TRANS PREBIAS DUAL PNP | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | NSBA113EF3T5G.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | NSBA113EF3T5G |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | TRANS PREBIAS DUAL PNP |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 168424 pcs |
| Спецификация | NSBA113EF3T5G.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Тип транзистор | PNP - Pre-Biased |
| Поставщик Упаковка устройства | SOT-1123 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | 1 kOhms |
| Резистор - основание (R1) | 1 kOhms |
| Мощность - Макс | 254mW |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | SOT-1123 |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 6 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 254mW Surface Mount SOT-1123 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |







TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563

COMMON POINT GND CORD 10MM 10'
TRANS PREBIAS PNP 0.72W SOT223
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963

NSB9435 - DIGITAL BJT PNP - PRE-
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563