| Номер детали производителя : | NSBA123TDP6T5G | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 141925 pcs Stock |
| Описание : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | NSBA123TDP6T5G.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | NSBA123TDP6T5G |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 141925 pcs |
| Спецификация | NSBA123TDP6T5G.pdf |
| Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
| Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Тип транзистор | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Поставщик Упаковка устройства | SOT-963 |
| Серии | - |
| Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
| Резистор - основание (R1) | 2.2 kOhms |
| Мощность - Макс | 408mW |
| упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Упаковка / | SOT-963 |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 14 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Частота - Переход | - |
| Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963 |
| DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
| Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
| Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
| Номер базового номера | NSBA1* |







TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

NSBA123TF3 - DIGITAL BJT NPN - P
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563

NSBA123TDP6 - DIGITAL BJT 2 PNP

NSBA123JF3 - DIGITAL BJT NPN - P