Номер детали производителя : | NSBA123TDP6T5G | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Состояние на складе : | 141925 pcs Stock |
Описание : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NSBA123TDP6T5G.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NSBA123TDP6T5G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 141925 pcs |
Спецификация | NSBA123TDP6T5G.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 50V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Тип транзистор | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Поставщик Упаковка устройства | SOT-963 |
Серии | - |
Резистор - основание эмиттера (R2) | - |
Резистор - основание (R1) | 2.2 kOhms |
Мощность - Макс | 408mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | SOT-963 |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 14 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | - |
Подробное описание | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 408mW Surface Mount SOT-963 |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 500nA |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 100mA |
Номер базового номера | NSBA1* |
TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT563
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBA123TF3 - DIGITAL BJT NPN - P
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963
TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
NSBA123TDP6 - DIGITAL BJT 2 PNP
NSBA123JF3 - DIGITAL BJT NPN - P