NST857BDP6T5G

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN NST857BDP6T5G имеет решающее значение. К счастью, вы попали в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продукции в RX ELECTRONICS. NST857BDP6T5G от ON Semiconductor — это высокопроизводительный двойной N-канальный МОП-транзистор, разработанный для приложений управления низковольтным питанием. Изготовленный с использованием передовой траншейной технологии, он обеспечивает низкое сопротивление включения (RDS(on)) и отличные тепловые характеристики в компактном корпусе DFN размером 1,2 x 1,2 мм. Это устройство работает с максимальным напряжением сток-исток 20 В и оптимизировано для эффективного переключения в портативной электронике. Ключевые особенности включают низкое пороговое напряжение затвора, способность выдерживать большие токи, а также соответствие стандартам RoHS и безгалогеновым стандартам. Небольшая занимаемая площадь и высокая эффективность делают его идеальным для проектов с ограниченным пространством. Типичные области применения включают переключение нагрузки, системы управления батареями, преобразования постоянного тока в постоянный и схемы питания в смартфонах, планшетах, носимых устройствах и других устройствах с батарейным питанием. NST857BDP6T5G обеспечивает надежную работу, позволяя повысить энергоэффективность и продлить срок службы батареи в современной портативной электронике. Пожалуйста, свяжитесь с нашим отделом продаж или отправьте электронное письмо по адресу Info@rxelectronics.com. Надеюсь, мы сможем сотрудничать в будущем.