Номер детали производителя : | NSV40302PDR2G |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 350 pcs Stock |
Описание : | TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NSV40302PDR2G.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NSV40302PDR2G |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | TRANS NPN/PNP 40V 3A 8SOIC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 350 pcs |
Спецификация | NSV40302PDR2G.pdf |
Напряжение - коллектор-эмиттер пробоя (макс) | 40V |
Vce Насыщенность (Макс) @ Ib, Ic | 115mV @ 200mA, 2A |
Тип транзистор | NPN, PNP |
Поставщик Упаковка устройства | 8-SOIC |
Серии | - |
Мощность - Макс | 653mW |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Другие названия | NSV40302PDR2G-ND NSV40302PDR2GOSTR |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 6 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Частота - Переход | 100MHz |
Подробное описание | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 40V 3A 100MHz 653mW Surface Mount 8-SOIC |
DC коэффициент усиления по току (HFE) (Min) @ Ic, Vce | 180 @ 1A, 2V |
Ток - Коллектор Граничная (Макс) | 100nA (ICBO) |
Ток - коллектор (Ic) (Макс) | 3A |
IC REG CCR 45V 20MA SOT223
TRANS 2PNP 40V 3A 8SOIC
NPN 40V LOW SAT LFPAK4 BP
IC REG CCR 45V 15MA SOD123
IC REG CCR 45V 20MA SOD123
TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
TRANS NPN 40V 3A SOT223-4
TRANS PNP 40V 3A SOT223
IC REG CCR 45V 20MA SOD123
TRANS NPN 40V 5A 3WDFN