NTGS3433T1G

Подробности продукции

Поиск надежного источника для PN NTGS3433T1G имеет решающее значение, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите подлинный и надежный источник продуктов на RX Electronics. МОСФЕТ. Он имеет ультра-низкий RDS (ON) 1,8 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышение эффективности применения в преобразовании мощности. Устройство работает в широком диапазоне VGS (от -30 В до +20 В), обеспечивая гибкость в дизайне. Его максимальное напряжение дренажного источника (VDS) оценивается в 30 В, что делает его подходящим для систем с низким напряжением.

Ключевые преимущества включают в себя его термически улучшенный пакет SO-8, который облегчает эффективное рассеяние тепла, и заряд с низким затвором (QG), который поддерживает быстрые скорости переключения. Эти характеристики делают NTGS3433T1G идеальным для высокочастотных переключающих приложений, таких как преобразователи DC-DC, схемы управления двигателем и системы управления аккумуляторами. Кроме того, его надежность против электростатического разряда (ESD) обеспечивает надежную работу в различных средах. В целом, этот MOSFET предлагает отличный баланс производительности, надежности и простоты интеграции в современные электронные дизайны. Крайне обращайтесь к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для получения дополнительной информации и деталей. Мы находимся в вашем сервисе в любое время!