Номер детали производителя : | NTH4L160N120SC1 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Состояние на складе : | 147 pcs Stock |
Описание : | SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | NTH4L160N120SC1(1).pdfNTH4L160N120SC1(2).pdfNTH4L160N120SC1(3).pdfNTH4L160N120SC1(4).pdfNTH4L160N120SC1(5).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | NTH4L160N120SC1 |
---|---|
производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Описание | SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 147 pcs |
Спецификация | NTH4L160N120SC1(1).pdfNTH4L160N120SC1(2).pdfNTH4L160N120SC1(3).pdfNTH4L160N120SC1(4).pdfNTH4L160N120SC1(5).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 4.3V @ 2.5mA |
Vgs (макс.) | +25V, -15V |
Технологии | SiCFET (Silicon Carbide) |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247-4L |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 224mOhm @ 12A, 20V |
Рассеиваемая мощность (макс) | 111W (Tc) |
Упаковка / | TO-247-4 |
Упаковка | Tube |
Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Тип установки | Through Hole |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 665 pF @ 800 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 34 nC @ 20 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 17.3A (Tc) |
Базовый номер продукта | NTH4L160 |
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
SIC MOS TO247-4L 650V
SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-4
SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5
NTH4LN040N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
SICFET N-CH 1200V 29A TO247-4
FIXED IND