NTMFS4H01NT3G

Подробности продукции

Если вам требуется поставка NTMFS4H01NT3G, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. Это устройство оснащено сверхнизким RDS (ON) 1,5 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери проводимости и повышенную эффективность применения в преобразовании мощности. Его максимальное напряжение источника дренажа (VDS) составляет 30 В, что делает его подходящим для систем низкого напряжения.

Одним из его ключевых преимуществ является небольшая площадь, доступная в компактном пакете DFN3030-2E, который экономит пространство платы без ущерба для производительности. MOSFET также предлагает быстрые скорости переключения, снижение потери переключения и повышение общей эффективности системы.

Это устройство идеально подходит для различных приложений, включая преобразователи DC-DC, управление двигателем, нагрузочные переключатели и системы управления аккумуляторами. Его надежный дизайн обеспечивает надежную работу в требовательных средах, что делает его предпочтительным выбором для дизайнеров, стремящихся к высокой эффективности и надежности в своих мощных проектах. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.