NTSAF345T3G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN NTSAF345T3G, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии на RX Electronics. NTSAF345T3G от полупроводника представляет собой высокопроизводительный, N-канальный MOSFET, предназначенный для эффективного применения в смене мощности. Он имеет ультра-низкое сопротивление в штате (RDS (ON)) 3,45 МОм при VGS = 10 В, что обеспечивает минимальные потери мощности и повышенную эффективность системы. С рейтингом напряжения источника дренажного источника (VDS) 30 В и непрерывной способностью тока дренажа (ID) до 98A, он поддерживает надежную работу в требовательных средах. Его быстрая скорость переключения снижает потери переключения, что делает его идеальным для высокочастотных приложений.

Этот MOSFET предлагает превосходные тепловые характеристики, что обеспечивает надежную работу в компактных конструкциях. Его небольшая площадь DPAK облегчает пространственные решения. Ключевые приложения включают в себя преобразователи DC-DC, управление двигателем, системы управления аккумуляторами и расходные материалы в секторах автомобильной, промышленной и потребительской электроники. NTSAF345T3G обеспечивает превосходную эффективность, надежность и экономическую эффективность, что делает его предпочтительным выбором для современных проектов электроники. До скорой встречи.