NVMFD5485NLT3G

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания RX ELECTRONICS. предлагает широкий ассортимент качественных электронных компонентов напрямую от всемирно известных производителей. ON Semiconductor NVMFD5485NLT3G — это высокопроизводительный двойной N-канальный транзистор Trench MOSFET с напряжением 60 В, 21 А в термически улучшенном корпусе SO-8FL. Обладая низким сопротивлением RDS(on) 22 мОм (тип.) при VGS = 10 В и сверхнизким зарядом затвора (Qg = 17 нКл), он обеспечивает высокую эффективность и быстрое переключение для приложений с ограниченной мощностью. Его оптимизированная структура затвора снижает потери на переключение и улучшает характеристики электромагнитных помех. Устройство включает в себя встроенные диоды Шоттки для повышения прочности корпуса диода и поддерживает 100% лавинную работу. Он соответствует требованиям RoHS и AEC-Q101 и соответствует строгим автомобильным стандартам надежности. Обычно используется в автомобильных преобразователях постоянного тока, модулях управления двигателями, драйверах светодиодов и промышленных источниках питания, особенно там, где пространство, управление температурным режимом и надежность имеют решающее значение. Компактный размер SO-8FL позволяет размещать печатные платы с высокой плотностью размещения, сохраняя при этом отличное рассеивание тепла. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшее обсуждение с нами. До скорой встречи.