| Номер детали производителя : | PCFFS50120AF |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 50A DIE |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | PCFFS50120AF(1).pdfPCFFS50120AF(2).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | PCFFS50120AF |
|---|---|
| производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Описание | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 50A DIE |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | PCFFS50120AF(1).pdfPCFFS50120AF(2).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.75 V @ 50 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Поставщик Упаковка устройства | Die |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
| Упаковка / | Die |
| Упаковка | Tray |
| Рабочая температура - Соединение | 175°C (Max) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 200 µA @ 1200 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 50A |
| Емкостной @ В.Р., F | - |
| Базовый номер продукта | PCFFS50120 |







IGBT NPT 1200V
DIODE SIL CARBIDE 650V 60A DIE
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 46A DIE
DIODE SIL CARBIDE 650V 30A DIE
DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DIE
IGBT PCFG40T65SHW
MOSFET N-CH
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 61A DIE
DIODE SIL CARBIDE 650V 40A DIE
IGBT FIELD STOP 650V WAFER