SA575DTBR2G

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN SA575DTBR2G, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. SA575DTBR2G с полупроводника-это высокая производительность. Двойной n-канальный режим MOSE-MODE в пакете SOIC-8. Это устройство имеет низкий уровень устойчивости (RDS (ON)) и заряд затвора (QG), что обеспечивает эффективную производительность переключения и минимальные потери мощности. Его максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 60 В и непрерывное ток дренажа (ID) до 4,9А делает его подходящим для широкого спектра применений.

Ключевые преимущества включают превосходную тепловую стабильность, надежную защиту ESD и компактный след, который упрощает дизайн печатной платы. Низкий RDS (ON) снижает потери проводимости, что делает его идеальным для систем управления питанием, управления двигателем и устройств, управляемых аккумулятором. Кроме того, быстрая возможность переключения устройства повышает эффективность переключения питания и преобразователей DC-DC. В целом, SA575DTBR2G обеспечивает надежную производительность в области потребительской электроники, промышленной автоматизации и автомобильных приложений, где экономство пространства и энергоэффективность имеют решающее значение. Пожалуйста, свяжитесь с нашей командой по продажам по адресу info@rxelectronics.com при более раннем удобстве. Мы уверены, что наша команда не разочарует вас. Спасибо за рассмотрение RX Electronics.