Номер детали производителя : | AS3D020065A |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Состояние на складе : | 158 pcs Stock |
Описание : | 650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | AS3D020065A.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | AS3D020065A |
---|---|
производитель | |
Описание | 650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 158 pcs |
Спецификация | AS3D020065A.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.65 V @ 20 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-220-2 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-220-2 |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 20 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 56A |
Емкостной @ В.Р., F | 1190pF @ 0V, 1MHz |
DIODE AVALANCHE 600V 2A DO214AA
1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT
DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA
1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
1200V,30A SILICON CARBIDE SCHOTT
1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
650V,30A SILICON CARBIDE SCHOTTK
DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AA
DIODE AVALANCHE 600V 2A DO214AA