Номер детали производителя : | AS3D020120P2 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | AS3D020120P2.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | AS3D020120P2 |
---|---|
производитель | |
Описание | 1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | AS3D020120P2.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 15 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247-3 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-247-3 |
Упаковка | Tube |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Диод Конфигурация | 1 Pair Common Cathode |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 20 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 30A (DC) |
Базовый номер продукта | AS3D02012 |
1200V,20A SILICON CARBIDE SCHOTT
DIODE AVALANCHE 600V 2A DO214AA
650V,20A SILICON CARBIDE SCHOTTK
1200V,40A SILICON CARBIDE SCHOTT
DIODE AVALANCHE 600V 2A DO214AA
650V,30A SILICON CARBIDE SCHOTTK
DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A
DIODE AVALANCHE 600V 3A DO214AA
DIODE AVALANCHE 200V 2.1A TO277A
1200V,30A SILICON CARBIDE SCHOTT