| Номер детали производителя : | HER308GT-G |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Comchip Technology |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | HER308GT-G(1).pdfHER308GT-G(2).pdfHER308GT-G(3).pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | HER308GT-G |
|---|---|
| производитель | Comchip Technology |
| Описание | DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | HER308GT-G(1).pdfHER308GT-G(2).pdfHER308GT-G(3).pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 3 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1000 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | DO-27 |
| скорость | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 75 ns |
| Упаковка / | DO-201AA, DO-27, Axial |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 1000 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
| Емкостной @ В.Р., F | - |
| Базовый номер продукта | HER308 |








DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
75NS, 3A, 600V, HIGH EFFICIENT R

DIODE GEN PURP 1000V 3A DO201AD

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD
50NS, 3A, 400V, HIGH EFFICIENT R
50NS, 3A, 200V, HIGH EFFICIENT R