Номер детали производителя : | DMN2014LHAB-13 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Diodes Incorporated |
Состояние на складе : | - |
Описание : | MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | DMN2014LHAB-13(1).pdfDMN2014LHAB-13(2).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | DMN2014LHAB-13 |
---|---|
производитель | Diodes Incorporated |
Описание | MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2030-6 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | DMN2014LHAB-13(1).pdfDMN2014LHAB-13(2).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
Поставщик Упаковка устройства | U-DFN2030-6 (Type B) |
Серии | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 4A, 4.5V |
Мощность - Макс | 800mW (Ta) |
Упаковка / | 6-UFDFN Exposed Pad |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1550pF @ 10V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 16nC @ 4.5V |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 20V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 9A (Ta) |
конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
Базовый номер продукта | DMN2014 |
MOSFET N-CH 20V 21A 8-TSSOP
MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN
MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN
MOSFET N-CH 20V 15.2A 6UDFN
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
MOSFET BVDSS: 8V-24V X3-DSN2718-
MOSFET N-CH 20V 10.5A U-DFN