Номер детали производителя : | EPC2016C |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | EPC |
Состояние на складе : | 212698 pcs Stock |
Описание : | GANFET N-CH 100V 18A DIE |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EPC2016C(1).pdfEPC2016C(2).pdfEPC2016C(3).pdfEPC2016C(4).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EPC2016C |
---|---|
производитель | EPC |
Описание | GANFET N-CH 100V 18A DIE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 212698 pcs |
Спецификация | EPC2016C(1).pdfEPC2016C(2).pdfEPC2016C(3).pdfEPC2016C(4).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Vgs (макс.) | +6V, -4V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 11A, 5V |
Рассеиваемая мощность (макс) | - |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 420 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.5 nC @ 5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Ta) |
Базовый номер продукта | EPC20 |
TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
GANFET N-CH 60V 90A DIE
TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
GANFET N-CH 100V 11A DIE
GANFET N-CH 150V 12A DIE
TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
GANFET N-CH 40V 53A DIE