Номер детали производителя : | EPC2019ENG | Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | EPC | Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EPC2019ENG.pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EPC2019ENG |
---|---|
производитель | EPC |
Описание | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | EPC2019ENG.pdf |
Напряжение - испытания | 270pF @ 100V |
Напряжение - Разбивка | Die |
Vgs (й) (Max) @ Id | 50 mOhm @ 7A, 5V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Серии | eGaN® |
Статус RoHS | Cut Tape (CT) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5A (Ta) |
поляризация | Die |
Другие названия | 917-1055-1 |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Уровень влажности (MSL) | 1 (Unlimited) |
Номер детали производителя | EPC2019ENG |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 2.5nC @ 5V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.5V @ 1.5mA |
FET Характеристика | N-Channel |
Расширенное описание | N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | - |
Описание | TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 200V |
Коэффициент емкости | - |
GANFET N-CH 150V 12A DIE
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
GANFET N-CH 100V 18A DIE
TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
GANFET N-CH 80V 90A DIE
GANFET N-CH 60V 90A DIE
GANFET N-CH 100V 11A DIE
TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE