| Номер детали производителя : | EPC2025 | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | EPC | Состояние на складе : | В наличии |
| Описание : | GANFET N-CH 300V 4A DIE | Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | EPC2025(1).pdfEPC2025(2).pdfEPC2025(3).pdfEPC2025(4).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | EPC2025 |
|---|---|
| производитель | EPC |
| Описание | GANFET N-CH 300V 4A DIE |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | EPC2025(1).pdfEPC2025(2).pdfEPC2025(3).pdfEPC2025(4).pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Vgs (макс.) | +6V, -4V |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Поставщик Упаковка устройства | Die |
| Серии | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150mOhm @ 3A, 5V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | - |
| Упаковка / | Die |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 194 pF @ 240 V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 300 V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 4A (Ta) |
| Базовый номер продукта | EPC20 |
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
GANFET NCH 40V 31A DIE
TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
TRANS GAN 40V 60A BUMPED DIE
TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
GANFET NCH 40V 60A DIE
GANFET N-CH 80V 48A DIE
One-stop supplier of IC products