Номер детали производителя : | EPC2067 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | EPC |
Состояние на складе : | 7401 pcs Stock |
Описание : | TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EPC2067(1).pdfEPC2067(2).pdfEPC2067(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EPC2067 |
---|---|
производитель | EPC |
Описание | TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 7401 pcs |
Спецификация | EPC2067(1).pdfEPC2067(2).pdfEPC2067(3).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 18mA |
Vgs (макс.) | +6V, -4V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.55mOhm @ 37A, 5V |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3267 pF @ 20 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 22.3 nC @ 5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 40 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 69A (Ta) |
Базовый номер продукта | EPC20 |
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
GANFET N-CH 40V 29A DIE
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
TRANS GAN DIE 100V .022OHM
TRANS GAN 170V .009 OHM BUMP DIE
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE