Номер детали производителя : | EPC2071 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | EPC |
Состояние на складе : | 8399 pcs Stock |
Описание : | TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EPC2071(1).pdfEPC2071(2).pdfEPC2071(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EPC2071 |
---|---|
производитель | EPC |
Описание | TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 8399 pcs |
Спецификация | EPC2071(1).pdfEPC2071(2).pdfEPC2071(3).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 13mA |
Vgs (макс.) | +6V, -4V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2mOhm @ 30A, 5V |
Рассеиваемая мощность (макс) | - |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 3931 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 26 nC @ 5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 64A (Ta) |
Базовый номер продукта | EPC20 |
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
TRANS GAN DIE 100V .022OHM
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE