Номер детали производителя : | EPC2252 |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | EPC |
Состояние на складе : | 42379 pcs Stock |
Описание : | TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | EPC2252(1).pdfEPC2252(2).pdfEPC2252(3).pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | EPC2252 |
---|---|
производитель | EPC |
Описание | TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 42379 pcs |
Спецификация | EPC2252(1).pdfEPC2252(2).pdfEPC2252(3).pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 2.5V @ 2.5mA |
Vgs (макс.) | +6V, -4V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Поставщик Упаковка устройства | Die |
Серии | eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 11A, 5V |
Рассеиваемая мощность (макс) | - |
Упаковка / | Die |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 576 pF @ 50 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.3 nC @ 5 V |
Тип FET | N-Channel |
FET Характеристика | - |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 80 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 8.2A (Ta) |
GANFET N-CH 100V DIE
TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
TRANS GAN 100V DIE .0019OHM
TRANS GAN DUAL 100V.11OHM 9BMPD
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
TRANS GAN 100V DIE .0019OHM
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN