| Номер детали производителя : | IRF510STRLPBF |
|---|---|
| Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Состояние на складе : | 145 pcs Stock |
| Описание : | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | IRF510STRLPBF.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | IRF510STRLPBF |
|---|---|
| производитель | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | 145 pcs |
| Спецификация | IRF510STRLPBF.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (макс.) | ±20V |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Серии | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 3.4A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс) | 43W (Tc) |
| упаковка | Cut Tape (CT) |
| Упаковка / | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Другие названия | IRF510STRLPBFCT |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Стандартное время изготовления | 18 Weeks |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 180pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
| Тип FET | N-Channel |
| FET Характеристика | - |
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 100V |
| Подробное описание | N-Channel 100V 5.6A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 5.6A (Tc) |







MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK

N-CHANNEL POWER MOSFET
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO220AB
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
MOSFET N-CH 100V 5.6A TO263
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK