| Номер детали производителя : | RFD12N06RLESM9A | Статус RoHS : | |
|---|---|---|---|
| Изготовитель / Производитель : | Fairchild/ON Semiconductor | Состояние на складе : | - | 
| Описание : | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | Доставить из : | Гонконг | 
| Спецификация : | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS | 
| Часть № | RFD12N06RLESM9A | 
|---|---|
| производитель | Fairchild/ON Semiconductor | 
| Описание | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии | 
| Спецификация | |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 3V @ 250µA | 
| Vgs (макс.) | ±16V | 
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | 
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252, (D-Pak) | 
| Серии | UltraFET™ | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 18A, 10V | 
| Рассеиваемая мощность (макс) | 49W (Tc) | 
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | 
| Упаковка | Bulk | 
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | 
| Тип установки | Surface Mount | 
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 485 pF @ 25 V | 
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | 
| Тип FET | N-Channel | 
| FET Характеристика | - | 
| Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | 
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 60 V | 
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 18A (Tc) | 







MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
MOSFET N-CH 50V 14A IPAK
N-CHANNEL POWER MOSFET

10A, 50V, N-CHANNEL,
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
4.3/10 Male; Low PIM
MOSFET P-CH 30V 10A TO-252AA
MOSFET N-CH 60V 18A DPAK
MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK

HIGH FREQUENCY CHIP RESISTORS 02