Номер детали производителя : | GPIHV10DK |
---|---|
Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | GaNPower |
Состояние на складе : | 340 pcs Stock |
Описание : | GaNFET N-CH 1200V 10A TO252 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | GPIHV10DK.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | GPIHV10DK |
---|---|
производитель | GaNPower |
Описание | GaNFET N-CH 1200V 10A TO252 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | 340 pcs |
Спецификация | GPIHV10DK.pdf |
Vgs (й) (Max) @ Id | 1.7V @ 3.5mA |
Vgs (макс.) | +7.5V, -12V |
Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) |
Серии | - |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Тип установки | Surface Mount |
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 105 pF @ 700 V |
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 3.5 nC @ 6 V |
Тип FET | N-Channel |
Напряжение привода (Max Rds On, Min Rds On) | 6V |
Слить к источнику напряжения (VDSS) | 1200 V |
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 10A |
IEEE-488 ADAPTER
Power IC based on Power GaN HEMT
OPTIONAL GPIB INTERFACE
GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8
GaNFET N-CH 1200V 7A TO252
GPIB INTERFACEOPTION RETROFITS T
GANFET N-CH 1200V 30A TO263-5L
GaNFET N-CH 1200V 5A TO252
IC GAN POWER 650V 8A DFN5X6
Enterasys GPIM-09 Compatible TAA