| Номер детали производителя : | GB01SLT12-252 |
|---|---|
| Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | GB01SLT12-252.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | GB01SLT12-252 |
|---|---|
| производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Описание | DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | GB01SLT12-252.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.8 V @ 1 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Серии | SiC Schottky MPS™ |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 2 µA @ 1200 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
| Емкостной @ В.Р., F | 69pF @ 1V, 1MHz |
| Базовый номер продукта | GB01SLT12 |







DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA
CAP CER
CAP CER
RELAY GEN PURPOSE 4PDT 6A 24V
DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2.5A SMB
CAP CER
RELAY GEN PURPOSE 3PDT 10A 24V
CAP CER
RELAY GEN PURPOSE DPDT 12A 24V