| Номер детали производителя : | MSRT200160A |
|---|---|
| Статус RoHS : | Соответствует RoHS |
| Изготовитель / Производитель : | GeneSiC Semiconductor |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | MSRT200160A |
|---|---|
| производитель | GeneSiC Semiconductor |
| Описание | DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Соответствует RoHS |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.2 V @ 200 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1600 V |
| Технологии | Standard |
| Поставщик Упаковка устройства | Three Tower |
| скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Серии | - |
| Упаковка / | Three Tower |
| Упаковка | Bulk |
| Рабочая температура - Соединение | -40°C ~ 175°C |
| Тип установки | Chassis Mount |
| Диод Конфигурация | 1 Pair Common Cathode |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 10 µA @ 600 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) (за Diode) | 200A (DC) |
| Базовый номер продукта | MSRT200 |







DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER
DIODE GEN PURP 600V 200A 3 TOWER
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
1600V 200A THREE TOWER SILICON R
1400V 200A THREE TOWER SILICON R
DIODE GEN 1.6KV 200A 3 TOWER
DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
DIODE GEN 1.4KV 200A 3 TOWER