Номер детали производителя : | G3S06504C |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | 30 pcs Stock |
Описание : | DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G3S06504C.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G3S06504C |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | 30 pcs |
Спецификация | G3S06504C.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Bulk |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 11.5A |
Емкостной @ В.Р., F | 181pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO252
DIODE SIL CARB 650V 22.6A TO252
DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO263
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
DIODE SIC 650V 22.6A TO220AC
DIODE SIL CARB 650V 11.5A TO263
DIODE SIC 650V 11.5A TO220AC
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 22.6A TO263