Номер детали производителя : | G3S06508C |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G3S06508C.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G3S06508C |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO252 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G3S06508C.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 8 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 25.5A |
Емкостной @ В.Р., F | 550pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARB 650V 25.5A TO263
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 8A 3-PIN
DIODE SIC 650V 25.5A TO220AC
DIODE SIL CARB 650V 20A TO247AC
DIODE SIL CARB 650V 15.4A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 23A TO220ISO
DIODE SIL CARB 650V 14A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 35A TO220AC
DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO263
DIODE SIL CARB 650V 22.5A TO252