| Номер детали производителя : | G3S12010C |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 33.2A TO252 |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | G3S12010C.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | G3S12010C |
|---|---|
| производитель | Global Power Technologies Group |
| Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 33.2A TO252 |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | G3S12010C.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 10 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
| Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Surface Mount |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 33.2A |
| Емкостной @ В.Р., F | 765pF @ 0V, 1MHz |








DIODE SIC 1.2KV 34.8A TO220AC

DIODE SIL CARB 1.2KV 57A TO220AC

DIODE SIL CARB 1.2KV 37A TO247AC

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

DIODE SIC 1.2KV 23.5A TO220F

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P

DIODE SIC 1.2KV 16.5A TO220F

DIODE SIL CARB 1.2KV 33.2A TO263

DIODE SIL CARB 1.2KV 21A TO220F

SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 6A 3-PI