Номер детали производителя : | G4S06515CT |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 650V 35.8A TO252 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G4S06515CT.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G4S06515CT |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIL CARB 650V 35.8A TO252 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G4S06515CT.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 15 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 35.8A |
Емкостной @ В.Р., F | 645pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARB 650V 39A TO247AC
DIODE SIC 650V 31.2A TO247AC
DIODE SIL CARB 650V 20A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 44.9A 4DFN
DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F
DIODE SIC 650V 31.2A TO220ISO
DIODE SIL CARB 650V 36A TO220AC
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
DIODE SIL CARBIDE 650V 53A 4DFN
DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263