Номер детали производителя : | G4S12010PM |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIC 1.2KV 33.2A TO247AC |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G4S12010PM.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G4S12010PM |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIC 1.2KV 33.2A TO247AC |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G4S12010PM.pdf |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-247AC |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-247-2 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 30 µA @ 1700 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 33.2A |
Емкостной @ В.Р., F | - |
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
DIODE SIC 1.2KV 64.5A TO247AC
DIODE SIC 1.2KV 64.5A TO247AC
DIODE SIC 650V 81.8A TO247AC
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 30A 3-PI
DIODE SIL CARB 1.2KV 73A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 75A TO263
DIODE SIL CARBIDE 650V 53A 4DFN
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 20A 3-PI