| Номер детали производителя : | G5S06520AT |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | DIODE SIC 650V 68.8A TO220AC |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | G5S06520AT.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | G5S06520AT |
|---|---|
| производитель | Global Power Technologies Group |
| Описание | DIODE SIC 650V 68.8A TO220AC |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | G5S06520AT.pdf |
| Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.5 V @ 20 A |
| Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
| Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Поставщик Упаковка устройства | TO-220AC |
| скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Серии | - |
| Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
| Упаковка / | TO-220-2 |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
| Тип установки | Through Hole |
| Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
| Текущий - средний выпрямленный (Io) | 68.8A |
| Емкостной @ В.Р., F | 1600pF @ 0V, 1MHz |








DIODE SIL CARBIDE 650V 53A 4DFN

DIODE SIL CARBIDE 650V 38A TO263

DIODE SIC 1.2KV 20.5A TO220AC

DIODE SIL CARB 1.2KV 7.5A TO220F

DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F

DIODE SIL CARB 650V 39A TO247AC

DIODE SIL CARB 650V 35.8A TO252

DIODE SIC 1.2KV 20.95A TO252

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC

DIODE SIL CARB 1.2KV 8.8A TO252