Номер детали производителя : | G5S12002C |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | В наличии |
Описание : | DIODE SIL CARB 1.2KV 8.8A TO252 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G5S12002C.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G5S12002C |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIL CARB 1.2KV 8.8A TO252 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G5S12002C.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.7 V @ 2 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 1200 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | TO-252 |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 1200 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 8.8A |
Емкостной @ В.Р., F | 170pF @ 0V, 1MHz |
DIODE SIL CARB 650V 23.8A TO220F
DIODE SIL CARBIDE 650V 53A 4DFN
DIODE SIC 1.2KV 20.5A TO220AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 7.5A TO220F
DIODE SIL CARB 650V 39A TO247AC
DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220AC
DIODE SIC 650V 68.8A TO220AC
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 5A 2-PI
DIODE SIL CARB 1.2KV 21A TO263
DIODE SIC 1.2KV 20.95A TO252