Номер детали производителя : | G5S6504Z |
---|---|
Статус RoHS : | |
Изготовитель / Производитель : | Global Power Technologies Group |
Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | G5S6504Z.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | G5S6504Z |
---|---|
производитель | Global Power Technologies Group |
Описание | DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | G5S6504Z.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.6 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 650 V |
Технологии | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Поставщик Упаковка устройства | 8-DFN (4.9x5.75) |
скорость | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 0 ns |
Упаковка / | 8-PowerTDFN |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 175°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 50 µA @ 650 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 15.45A |
Емкостной @ В.Р., F | 181pF @ 0V, 1MHz |
RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 12V
RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 24V
RELAY GEN PURPOSE SPDT 5A 48V
DIODE SIL CARB 1.2KV 62A TO247AC
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 3-P
DIODE SIL CARB 650V 30.5A 8DFN
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 30A 3-P
RELAY GENERAL PURPOSE SPDT 5A 5V
SIC SCHOTTKY DIODE 1200V 40A 2-P