HGT1S7N60C3DS9A

Подробности продукции

Если вам требуется поставка HGT1S7N60C3DS9A, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. HGT1S7N60C3DS9A из Harris Corporation-это высокопроизводительный карбид-карбид (SIC), предназначенный для требовательных применений в области перевода энергии. Это устройство оснащено ультра-низким на выявлении 7 миллиомов при блокирующем напряжении 650 В, что обеспечивает эффективную доставку мощности с минимальными потери. Надежная технология SIC обеспечивает превосходные тепловые характеристики и более быстрые скорости переключения по сравнению с традиционными мельфатами на основе кремния, что делает ее идеальным для высокочастотных операций в промышленных, автомобильных и возобновляемых энергетических системах.

Расположенный в компактном пакете D2PAK-7, HGT1S7N60C3DS9A обеспечивает превосходное рассеяние тепла и механическую надежность. Он поддерживает напряжения привода затвора от 15 В до 20 В, обеспечивая стабильную работу в широком диапазоне условий. Ключевые преимущества включают снижение электромагнитных помех (EMI), повышенную эффективность системы и продолжительность жизни компонента. Этот MOSFET соответствует ROHS и подходит для процессов сборки поверхностного монтажа, что облегчает простую интеграцию в современные проекты электроники. Цена и время по выполнению HGT1S7N60C3DS9A В зависимости от требуемого количества, пожалуйста, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену, и Доставка в течение 24 часов мы искренне с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.