HGT1S7N60C3DS

Подробности продукции

Как эффективный и опытный гибридный дистрибьютор электроники, наша компания - RX Electronics - предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. Hgt1s7n60c3ds из Harris Corporation представляет собой высокоэффективную силиконный углеродный углеродок (SIC), предназначенный для эффективного обращения в различных промышленных и автомобильных приложениях. Это устройство с рейтингом 650 В предлагает низкое сопротивление в государстве (RDS (ON)), как правило, 7 миллиомов, обеспечивая минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. Его быстрые возможности переключения снижают потери переключения, что делает его идеальным для высокочастотных операций в солнечных инверторах, электромобилях и моторных приводах. HGT1S7N60C3DS обладает надежной возможностью противостояния короткого замыкания и превосходными тепловыми характеристиками, что обеспечивает надежную работу в требовательных условиях. Этот MOSFET, упакованный в отраслевой корпус для 247-3, обеспечивает превосходное тепловое управление и легкую интеграцию в существующие проекты. Благодаря своей расширенной технологии SIC, HGT1S7N60C3DS обеспечивает более высокую плотность и надежность мощности, поддерживая электронику мощности следующего поколения, требующая высокой эффективности и компактного размера. Это также обеспечивает соответствие строгим экологическим стандартам, включая квалификацию AEC-Q101 для автомобильного использования. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.