IXSH35N120A

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания - RX Electronics - предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. IXSH35N120A из IXYS - это высокопроизводительный MOSFET, предназначенный для требовательных мощных применений. Это устройство имеет максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 1200 В, что обеспечивает устойчивость в высоковольтных средах. С непрерывным током дренажа (ID) 35A он поддерживает эффективную доставку энергии. Низкое сопротивление в штате (RDS (ON)) сводит к минимуму потери проводимости, повышая общую эффективность.

Его быстрая возможность переключения уменьшает потери переключения, что делает его идеальным для высокочастотных операций. Термически улучшенный пакет облегчает эффективное рассеяние тепла, способствуя надежной производительности при тяжелых нагрузках.

IXSH35N120A особенно подходит для промышленных применений, таких как моторные диски, системы возобновляемых источников энергии и источники питания. Его прочный дизайн и превосходное тепловое управление делают его отличным выбором для приложений, требующих высокой надежности и долговечности. В целом, этот MOSFET предлагает убедительную комбинацию с высоким уровнем обработки напряжения, низких потерь и надежной производительности. Цена и время выполнения выполнения IXSH35N120A В зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку внутри. 24 часа, мы искренне с нетерпением ждем возможности сотрудничать с вами.