| Номер детали производителя : | MMIX2F60N50P3 |
|---|---|
| Статус RoHS : | |
| Изготовитель / Производитель : | IXYS Corporation |
| Состояние на складе : | - |
| Описание : | MOSFET N-CH |
| Доставить из : | Гонконг |
| Спецификация : | MMIX2F60N50P3.pdf |
| Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Часть № | MMIX2F60N50P3 |
|---|---|
| производитель | IXYS Corporation |
| Описание | MOSFET N-CH |
| Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
| Кол-во в наличии | В наличии |
| Спецификация | MMIX2F60N50P3.pdf |
| Vgs (й) (Max) @ Id | 5V @ 4mA |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Поставщик Упаковка устройства | 24-SMPD |
| Серии | HiPerFET™, Polar3™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 30A, 10V |
| Мощность - Макс | 320W |
| Упаковка / | 24-SMD Module, 9 Leads |
| Упаковка | Tube |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип установки | Surface Mount |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 6250pF @ 25V |
| Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs | 96nC @ 10V |
| FET Характеристика | - |
| Слить к источнику напряжения (VDSS) | 500V |
| Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C | 30A (Tc) |
| конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Базовый номер продукта | MMIX2F60 |








IGBT 1200V 92A 400W SMPD

IGBT H BRIDGE 2500V 23A 24SMPD

DISC IGBT SMPD PKG-STANDARD SMPD

IGBT 600V 223A 625W SMPD

IGBT 600V 175A 520W SMPD

MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD

IGBT 650V 450A 24-SMPD

IGBT 600V 145A 400W SMPD

IGBT TRANS 3000V 38A

IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD