FD-DF80R12W1H3_B52

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN FD-DF80R12W1H3_B52, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. FD-DF80R12W1H3_B52 от Infineon Technologies-это FD-DF80R12W1H3_B52. Высокопроизводительный модуль IGBT (изолированный биполярный транзистор). Он имеет оптимизированную производительность переключения с низкими потерями проводимости, что делает его высокоэффективным для приложений для преобразования питания. Это устройство поддерживает максимальное напряжение коллекционера-эмиттера (VCE) 1200 В и непрерывный ток коллекционера (IC) до 80А, обеспечивая надежную работу в требовательных условиях.

Ключевые преимущества включают его передовую технологию тонкообоферы, которая снижает теплостойкость, повышая рассеяние тепла и надежность. Модуль также интегрирует мягкий диод восстановления, минимизирует электромагнитные интерференции (EMI) и повышая общую эффективность системы. Его компактная конструкция экономит пространство, сохраняя при этом высокую плотность мощности.

Этот модуль IGBT идеально подходит для промышленных применений, таких как автоприводы, системы возобновляемых источников энергии, такие как ветряные турбины и солнечные инверторы, и бесперебойные расходные материалы (UPS). Его надежная производительность и долговечность делают его подходящим для суровых сред, обеспечивая долгосрочную стабильность и эффективность в системах электроники. Предоставьте вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем сотрудничества с вами.