FD400R33KF2CKNOSA1

Подробности продукции

В качестве эффективного и опытного гибридного дистрибьютора электроники, наша компания - RX Electronics - предоставляет огромный выбор высококачественных электронных компонентов. FD400R33KF2CKNOSA1 из инфинеонных технологий представляет собой высокопроизводительный карбид (SIC) MOSFET. Он оснащен оптимизированным RDS (ON) 33 МОм при 400 В, что обеспечивает низкие потери проводимости и высокую эффективность применения в преобразовании питания. Это устройство поддерживает максимальное напряжение источника дренажного источника (VDS) 400 В и обеспечивает превосходную тепловую производительность благодаря своей расширенной технологии упаковки.

Ключевые преимущества включают в себя снижение потери переключения, повышенную надежность и компактную конструкцию, что делает его идеальным для высокочастотных операций. Быстрая скорость переключения SIC MOSFET сводит к минимуму мертвое время и повышает общую эффективность системы. Его надежность в отношении суровых среда обеспечивает стабильные показатели в требовании промышленных условий.

Этот MOSFET хорошо подходит для различных применений, таких как солнечные инверторы, зарядные устройства для электромобилей (EV), двигательные приводы и преобразователи DC-DC. Его способность работать при более высоких температурах и выдерживать высокую плотность тока делает его предпочтительным выбором для дизайнеров, стремящихся построить эффективные и надежные энергосистемы. Пожалуйста, не стесняйтесь обращаться к нашей команде по продажам по адресу info@rxelectronics.com для дальнейших обсуждений.