FF300R12KE4B2HOSA1

Подробности продукции

Как эффективный и опытный дистрибьютор гибридной электроники, наша компания - RX ELECTRONICS - предоставляет широкий выбор высококачественных электронных компонентов. FF300R12KE4B2HOSA1 является передовым чипом IGBT (Insulated Gate Bi Polar Transistor) от Infineon Technologies. Это устройство может похвастаться высоким текущим рейтингом 300A, что делает его подходящим для приложений с высокой мощностью. Он имеет низкий уровень (VF) 1,2 В, что повышает эффективность за счет снижения потери мощности во время эксплуатации. 'B2' в названии модели указывает на второе поколение технологии CoolMOSTM, предлагая улучшенную производительность и надежность. Суффикс 'HOSA1' предполагает, что он имеет тип жилья, предназначенный для оптимального термического управления. Его ключевые преимущества включают высокую скорость переключения, низкую проводимость и потери переключения, а также надежность против перенапряженных условий. Он обычно используется в приложениях, таких как переменные частотные диски, солнечные инверторы и промышленные системы управления двигателями, обеспечивая эффективное преобразование и контроль энергии. Цена и время выполнения FF300R12KE4B2HOSA1 в зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте наш запрос нам, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне надеемся на сотрудничество с вами.