FP100R07N3E4BOSA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN FP100R07N3E4BOSA1, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. The FP100R07N3E4BOSA1 из инфинеоновных технологий является высокопроизводительным, мощным, предназначенным для эффективных приложений. Это устройство оснащено сверхнизким RDS (ON) 3,9 МОм (MAX), обеспечивая минимальные потери проводимости и повышенную эффективность системы. Его надежный дизайн поддерживает высокие текущие возможности, что делает его идеальным для требования промышленной и автомобильной среды. FP100R07N3E4BOSA1 работает в пределах температурного диапазона от -55 ° C до +175 ° C, предлагая надежную производительность в экстремальных условиях. Этот MOSFET, расположенный в компактном и бездомном (Toll), обеспечивает превосходную термическую диссипацию и уменьшенную паразитическую индуктивность. Он интегрирует расширенные функции защиты, такие как прочность на лавину и защита ESD, обеспечивая долговечность и безопасность. Подходит для таких приложений, как преобразователи DC-DC, двигательные драйверы и солнечные микроинвертеры, FP100R07N3E4BOSA1 обеспечивает превосходную производительность с легкостью использования и гибкости проектирования. Пожалуйста, нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.