FS30R06VE3BOMA1

Подробности продукции

Если вам требуется запас FS30R06VE3BOMA1, то вы попали в нужное место! RX Electronics рада предложить наши исключительные услуги для удовлетворения ваших потребностей. FS30R06VE3BOMA1 от Infineon Technologies-это высокопроизводительный IGBT (биполярный транзистор Gate Gate), предназначенный для надежных и эффективных приложений по переключению питания. Это устройство имеет напряжение коллекционера-эмиттер (VCE) 650 В, обеспечивая надежную работу в высоковольтных средах. Он предлагает непрерывный ток коллекционера (IC) до 30А, что делает его подходящим для требования промышленного и автомобильного применения.

Ключевые характеристики включают низкое напряжение насыщения (VCE (SAT)), что сводит к минимуму потери проводимости и быстрые скорости переключения, которые снижают потери переключения. Чип также может похвастаться превосходной тепловой стабильностью и прочной конструкцией, повышая его надежность в суровых условиях работы. Его превосходная безопасная операционная зона (SOA) обеспечивает надежную производительность даже в переходных условиях.

Преимущества FS30R06VE3BOMA1 включают повышенную эффективность, снижение тепла и длительный срок службы. Эти функции делают его идеальным для таких приложений, как моторные приводы, солнечные инверторы и системы тяги электромобилей, где высокая эффективность и надежность имеют первостепенное значение. Пожалуйста, любезно нажмите «Отправить запрос», чтобы начать дальнейшие обсуждения с нами. До скорой встречи.