IDM05G120C5XTMA1

Подробности продукции

Крайне важно найти надежный источник для PN IDM05G120C5XTMA1, к счастью, вы попадете в нужное место, вы получите все детали в новом и оригинальном состоянии в RX Electronics. IDM05G120C5XTMA1 от Infineon Technologies-это высокопроизводительный IGBT (Insuled Gate Bipolar Transistor), предназначенная для эффективного призыва. Он имеет максимальное напряжение-эмиттер-эмиттер (VCE) 1200 В и ток-рейтинг 5A, обеспечивая надежность высоковольтных применений. Это устройство предлагает низкие потери переключения и проводимости, повышая общую эффективность системы. Возможность выдержания короткого замыкания повышает надежность в требовательных условиях. Модуль интегрирует диод с обратным проводящим, обеспечивая поток двунаправленного тока, который идеально подходит для систем управления двигателем и возобновляемых источников энергии. Его компактный дизайн и термические возможности управления делают его подходящим для применения, ограниченных пространством. Этот IGBT, обычно используемый в промышленных дисках, солнечных инверторах и бесперебойной питании (UPS). Его расширенная упаковка обеспечивает превосходную термическую диссипацию и долгосрочную стабильность, что делает ее предпочтительным выбором для мощной электроники. Цена и время выполнения заказа для IDM05G120C5XTMA1 в зависимости от необходимого количества, пожалуйста, отправьте нам запрос, наша команда продаж предоставит вам цену и доставку в течение 24 часов, мы искренне с нетерпением ждем, чтобы вы давали вам возможность.